Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 80А. Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В. Длина - 92 мм Ширина - 20 мм Высота - 30 мм Масса модуля - 200 г.
Спасибо за ваш отзыв!
После проверки опубликуем на сайте и отправим ссылку на почту.
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров
p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 80А.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В.
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.